摘要：
金融界2024年5月10日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“微图案刻蚀方法“授权公告号CN111063611B,申请日期为2018年10月。专利摘要显示，本发明公开了一种微图案刻蚀方法，该方法包括：形成有目标层、图案整合层及第一掩膜层于半导体衬底上；图等我继续说。
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金融界2024年5月10日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“微图案刻蚀方法“授权公告号CN111063611B,申请日期为2018年10月。专利摘要显示，本发明公开了一种微图案刻蚀方法，该方法包括：形成有目标层、图案整合层及第一掩膜层于半导体衬底上；图等我继续说。
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金融界2024年5月10日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体装置“公开号CN118019326A,申请日期为2023年9月。专利摘要显示，一种半导体装置，包括衬底上的BLSA电路图案、在衬底的与BLSA电路图案相邻的部分上的列电路图案、以及单元阵列。单神经网络。
jin rong jie 2 0 2 4 nian 5 yue 1 0 ri xiao xi ， ju guo jia zhi shi chan quan ju gong gao ， san xing dian zi zhu shi hui she shen qing yi xiang ming wei “ ban dao ti zhuang zhi “ gong kai hao C N 1 1 8 0 1 9 3 2 6 A , shen qing ri qi wei 2 0 2 3 nian 9 yue 。 zhuan li zhai yao xian shi ， yi zhong ban dao ti zhuang zhi ， bao kuo chen di shang de B L S A dian lu tu an 、 zai chen di de yu B L S A dian lu tu an xiang lin de bu fen shang de lie dian lu tu an 、 yi ji dan yuan zhen lie 。 dan shen jing wang luo 。
金融界2024年5月8日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件“公开号CN117995837A,申请日期为2023年11月。专利摘要显示，一种半导体器件包括：衬底；第一有源图案，其设置在所述衬底上；第二有源图案，其堆叠在所述第一有源图案上；第一栅极结构，其神经网络。
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金融界2024年5月8日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“制造半导体装置的方法和形成光致抗蚀剂图案的方法“公开号CN117995659A,申请日期为2023年7月。专利摘要显示，提供了一种制造半导体装置的方法和一种形成光致抗蚀剂图案的方法。所述制造半说完了。
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证券之星消息，根据企查查数据显示京东方A(000725)新获得一项发明专利授权，专利名为“量子点材料、图案化量子点膜层、量子点器件和制作方法”，专利申请号为CN202110255979.7,授权日为2024年5月7日。专利摘要：本发明公开了一种量子点材料、图案化量子点膜层、量子点器件是什么。
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包括第一绝缘图案、与第一绝缘图案相邻的第二绝缘图案、与第二绝缘图案相邻的第三绝缘图案、在第一绝缘图案与第二绝缘图案之间的第一导电图案以及在第二绝缘图案与第三绝缘图案之间的第二导电图案；沟道层，在栅极堆叠件中延伸；隧道绝缘层，在沟道层上；以及第一数据存储图案后面会介绍。
金融界2024年5月6日消息，据国家知识产权局公告，苹果公司申请一项名为“对象定位和信息编码系统“公开号CN117981298A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示，包括点状标记的子图案的基准图案被生成或施加在透明玻璃或塑料材料例如光学元件诸如覆盖玻璃或镜头附接件上或中还有呢？
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金融界2024年5月4日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“在半导体器件中形成微图案的方法“授权公告号CN110911272B,申请日期为2018年9月。专利摘要显示，本发明提供一种在半导体器件中形成微图案的方法，步骤如下：提供一基底，在基底上形成一层还有呢？
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其中一幅古岩画上边竟有“飞机图案”，使人困惑不已，这是怎么回事呢？新疆处于偏远地区，但这里的文明却一点也不比别的地方少。考古学家曾在这里寻找隐藏的文物，经过探索，他们发现了昆仑山竟然有一些不为人知的壁画。经过考究，他们认定在昆仑山山壁上出现的壁画，距今不足两千神经网络。
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